ASTM F1662-16
检验薄膜开关或印刷电子设备的规定介质耐受电压和确定介质击穿电压的标准试验方法
Standard Test Method for Verifying the Specified Dielectric Withstand Voltage and Determining the Dielectric Breakdown Voltage of a Membrane Switch or Printed Electronic Device
- 标准号
- ASTM F1662-16
- 发布
- 2016年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F1662-16
- 引用标准
- ASTM F1663 ASTM F1680
- 适用范围
- 1.1本测试方法涵盖薄膜开关或印刷电子器件规定的介电耐受电压或介电击穿电压的验证。
ASTM F1662-16相似标准
推荐
半导体元器件失效分析
闩锁状态下器件在电源与地之间形成短路，造成大电流、过电应力和器件损坏通信接口集成电路的闩锁失效（5）热载流子效应(Hot Carrier Injection栅极电压Vg小于漏极电压Vd时，栅极绝缘膜下的沟道被夹断，漏极附近电场增高；源极流经此区的电子成为热电子，碰撞增多---漏极雪崩热载流子；注入栅极二氧化硅膜中，使其产生陷阱和界面能级，阈值电压增加，氧化层电荷增加或波动不稳，器件性能退化（6）与时间相关的介质击穿...
了解高压击穿测试仪功能及特点请读此文
击穿电压是使电介质击穿的电压。电介质在足够强的电场作用下将失去其介电性能成为导体，称为电介质击穿，所对应的电压称为击穿电压。电介质击穿时的电场强度叫击穿场强。不同电介质在相同温度下，其击穿场强不同。当电容器介质和两极板的距离d一定后，由U1-U2=Ed知，击穿场强决定了击穿电压。击穿场强通常又称为电介质的介电强度。提高电容器的耐压能力起关键作用的是电介质的介电强度。 ...