BS IEC 63275-1:2022
半导体器件 碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性测试方法 偏置温度不稳定性测试方法
Semiconductor devices. Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Test method for bias temperature instability
- 标准号
- BS IEC 63275-1:2022
- 发布
- 2022年
- 发布单位
- 英国标准学会
- 当前最新
- BS IEC 63275-1:2022
- 适用范围
- 范围 IEC 63275 的这一部分给出了一种测试方法，用于评估碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的栅极阈值电压偏移，在施加连续正栅源电压应力后，使用室温读数。温度升高。所提出的方法通过允许应力和测量之间的较长延迟时间（最多 10 小时）来接受一定量的恢复。
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