等离子体中常直接用粒子的平均能量来表征温度,当一个电子(荷电量为1.6×10-19库仑)在电场中通过电位差为1伏特区间时,电子从电场中获得的能量为W=1eV,1eV=1.6×10-19库仑×1伏特=1.6022×10-19焦耳,1eV对应的温度是11600K(开氏温度;开尔文)。 ...
能谱方面介绍了俄歇电子能谱、X光电子能谱、电子能量损失谱等;在电子显微技术方面,介绍了扫描电子显微镜、透射电子显微镜、扫描透射电子显微镜等。随着像差矫正技术的发展,像差矫正的扫描透射电子显微镜已经达到了0.1nm的分辨率。基于相差矫正技术,原子级分辨率在电子能量损失谱和扫描电子显微镜中也得以实现。对于晶体材料,衍射效应对电子能谱也有着显著的影响。...
拉曼光谱在表征石墨烯材料的缺陷方面具有独特的优势,带有缺陷的石墨烯在1350cm-1附近会有拉曼D峰,一般用D峰与G峰的强度比(ID/IG)以及G峰的半峰宽(FWHM)来表征石墨烯中的缺陷密度 [4, 5]。图4揭示了ID/IG随着37Cl+辐照能量增加的变化曲线图及对应的辐照能量的HRTEM图。ID/IG的最大值出现在37Cl+辐照能量约为1014 ions/cm2处。...
问题1 什么是电离辐射,他们会对电子元器件产生哪些影响?所谓的电离辐射,是指高能粒子,如电子、质子、中子、α粒子,在穿越物质过程中与物质发生交互作用,高能粒子通过各种物理作用将能力耗散,这些耗散的一部分能量足以引发被作用物质发生电离,产生电子-空穴对。...
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