DIN 50443-1-1988
半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性
Testing of materials for use in semiconductor technology; detection of crystal defects and inhomogeneities in silicon single crystals by X-ray topography
DIN 50443-1-1988 发布历史
This standard determines the methods for the recognition of defects and inhomogeneities in semiconductor silicon single crystals by x-ray topography.
DIN 50443-1-1988由德国标准化学会 DE-DIN 发布于 1988-07。
DIN 50443-1-1988 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
DIN 50443-1-1988的历代版本如下：
- 1988年07月 DIN 50443-1-1988 半导体工艺使用材料的检验.第1部分:用X射线外形测量法检测半导体单晶硅中晶体缺陷和不均匀性
