由于微流控芯片的分辨率远低于大规模集成电路的要求,近来有报道使用简单的方法和设备制备掩模,用微机通过CAD软件将设计微通道的结构图转化为图象文件后,用高分辨率的打印机将图象打印到透明薄膜上,此透明薄膜可作为光刻用的掩模,基本能满足微流控分析芯片对掩模的要求。...
例如,可以用平整的玻璃板,涂覆上金属铬薄膜,通过类似照相制版的方法制备而成。具有微纳图形结构的掩模板通常使用电子束光刻机直接制备,其制作过程就是典型的光刻工艺过程,包括金属各层沉积、涂胶、电子束光刻、显影、铬层腐蚀及去胶等过程。由于模板像素超多,用扫描式光刻机制作掩模板的速度相当慢,造价十分昂贵。图2....
在制作印章的过程中, 先在SiC 表面镀上一层具有高选比( 38&1) 的铬薄膜, 作为后序工艺反应离子刻蚀的刻蚀掩模, 随后在铬薄膜上均匀涂覆ZEP 抗蚀剂, 再用电子束光刻在ZEP 抗蚀剂上光刻出纳米图案。为了打破SiC 的化学键, 必须在SiC 上加高电压。最后在350V 的直流电压下, 用反应离子刻蚀在SiC 表面得到具有光滑的刻蚀表面和垂直面型的纳米图案。...
该技术利用Talbot效应造成不同深度位置成像图案差异的原理,用金属纳米孔阵列作为掩膜版,旋涂不同厚度的介质膜(HSQ)作为spacer层,控制掩模版同光刻胶之间的距离,通过进一步光刻、金属(Ni)掩模沉积、干刻(ICP)工艺获得包括纳米柱、纳米洞、纳米环等多重GaN基LED纳米结构。该工作缩减了常规胶体光刻技术的步骤,极大地提高了制备图案的多样性。...
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