常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体,以光致抗光刻技术蚀剂为中间(图像记录)媒介实现图形的变换、转移和处理,最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。在广义上,光刻包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面:1、光复印工艺:经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。...
光刻胶也称为 光致抗蚀剂(Photoresist,P. R.)定义:又称光致抗蚀剂,是一种有机化合物感光材料,它受紫外光曝光后,在显影液中的溶解度会发生变化。• 作用:a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中; b、在后续工序中,保护下面的材料(刻蚀或离子注入)。• 用途:分立器件、集电电路(IC)、平板显示(FPD,LCD、PDP)、LED等。...
,其中V0=6 meV、b=70 nm、a=40.4 nm以及r=20 nm,黄色箭头强调了在最邻近点之间的强化电子耦合,颜色条表示电子密度 (c)b中带参数AG的两个最低狄拉克带,EM表示M点附近的带隙值图二 在三角形反点晶格中制备的人造石墨烯(a)Zep 520抗蚀剂通过电子束暴露在80 kV的加速电压下,之后,抗蚀剂演化成三角形反点图案 (b)带有图案的抗蚀剂通过电子泛光暴露在3 kV加速电压下...
沃特世依托于UPLC和质谱技术,提供了193纳米集成电路制造中沉浸式光刻技术用到的光阻涂层溶液分析方法,其可用于研发过程控制,还可依托于Empower强大的自定义计算能力生成批次报告。光致抗蚀剂配方常见的成分有光阻涂层溶剂、光酸生成剂(PAG)、光阻聚合物以及酸终止剂(NACL),这些成分在溶液中的比例,尤其酸生成剂与聚合物的比例,以及酸生成剂和终止剂的含量,甚至未知的杂质含量,都是需要精确控制。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号