DIN 50439:1982
半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线
Testing of materials for semiconductor technology; determination of the dopant concentration profile of single crystalline semiconductor material by means of the capacitancevoltage method and mercury contact
DIN 50439:1982 发布历史
DIN 50439:1982由德国标准化学会 DE-DIN 发布于 1982-10。
DIN 50439:1982 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
DIN 50439:1982 半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线的最新版本是哪一版？
最新版本是 DIN 50439:1982 。
DIN 50439:1982的历代版本如下：
- 1982年 DIN 50439:1982 半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线
半导体技术材料测试；通过电容电压法和汞接触测定单晶半导体材料的掺杂浓度分布论文半技术材料材料论文
