DIN 50439:1982
半导体技术材料的试验.用电容--电压法和水银接点确定单晶层半导体材料中掺杂剂的浓度分布曲线
Testing of materials for semiconductor technology; determination of the dopant concentration profile of single crystalline semiconductor material by means of the capacitancevoltage method and mercury contact
- 标准号
- DIN 50439:1982
- 发布
- 1982年
- 发布单位
- 德国标准化学会
- 当前最新
- DIN 50439:1982
- 适用范围
- 半导体技术材料测试；通过电容电压法和汞接触测定单晶半导体材料的掺杂浓度分布论文半技术材料材料论文