GB/T 17473.3-1998由国家质检总局 CN-GB 发布于 1998-08-19,并于 1999-03-01 实施,于 2008-09-01 废止。
GB/T 17473.3-1998 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法,在国际标准分类中归属于: 77.040.01 金属材料试验综合。
GB/T 17473.3-1998 厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 17473.3-2008 。
本标准规定了贵金属浆料方阻的测试方法。 本标准适用于贵金属烧结型浆料方阻的测宝。非贵金属浆料亦可参照使用。
贵金属,2019,v.40;No.155(01):70-74.[10]刘洪. 薄膜开关用银包铜导电浆料的制备及其性能研究[D].华南理工大学,2018.[11]刘长. 不同溶剂和树脂分子量对低温固化导电银浆的性能影响[D].深圳大学,2016.[12]闫增阳....
(试件的真实安装过程是,板缝是用发泡胶和结构胶处理,找平层是用3mm厚的抹面砂浆和满压网格布处理的,此情况在2019年8月24日,在委托方“中建一局”、检测方“省建筑工程质量检验检测中心”、投诉人“山东和悦生态新材料科技有限责任公司”三方见证下,在拆除其中一个试件中得到了证实)。...
;工艺:用膜工艺制作无源元件,用半导体IC或晶体管制作有源器件。...
氧气含量,影响到晶体中氧缺陷的数量,从而影响光吸收(即ITO穿透)以及导电性能(即ITO方阻)。而ρ=Rd(d为膜厚,ρ为材料的电导率,R为方阻),从公式中可以看出电导率与膜厚和方阻乘积成正比。综上分析,只要控制ITO穿透率及电导率两个关键参数,就能大大提高产品的穿透率。...
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