电荷载流子的传输与复合特性是半导体材料最重要的性质之一,也是决定半导体材料应用领域的重要指标之一。人们通常以电荷载流子的迁移率作为半导体电荷传输能力的参数,以载流子寿命来评价半导体材料的载流子复合性能,而载流子的迁移率与复合寿命共同决定了半导体电荷载流子的扩散长度。对有机-无机杂化钙钛矿材料的电荷载流子输运与复合性质展开研究是理解钙钛矿光电功能器件工作机制的基础。...
深入挖掘当研究人员想要确定一种材料作为半导体时的性能,他们会评估它的电导率。测量电导率的一种方法是测量它的“电荷载流子迁移率”,这反映的是电荷在材料内移动的速度。负电荷载流子是电子;正电荷载流子被称为“空穴”,即缺少电子的地方。测试电荷载流子迁移率的传统技术称为霍尔法。这需要在样品上焊接触点,并在磁场中通过这些触点通电。...
除了化学组成和显微结构,晶体的维度也会影响EB。由于空间量子限域效应,2D材料有较大的EB。随着层数的增多,EB更趋向3D材料。1.2 电荷复合率 较长的载流子复合寿命需要较大的VOC来提供较高的载流子浓度。半导体材料中的载流子复合寿命可以用以下公式表示:其中,G为载流子生成速率,k1为单分子载流子复合常数,k2为双分子载流子复合常数,k3为俄歇载流子复合常数。...
同时, 低的带隙和尽可能短的载流子寿命又能通过影响光生自由电子的密度N来提高太赫兹辐射的场强, 因此经常在半导体材料中引入适当浓度的缺陷, 形成陷阱或复合中心以减少载流子的寿命。通常情况下, 光电导天线材料一般选用Si、 掺Cr的GaAs、 掺Fe的InP等。 其特性参数对比如表1所示。...
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