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水在反应中不断的消耗,对氮化硅的刻蚀速率起到决定性的作用。氮化硅(Silicon Nitride)Dry Etch在半导工艺中,氮化硅的干法刻蚀一般会使用氟化物气体来刻蚀氮化硅,其刻蚀副产物为SiF4,是一种易挥发物质,比如如果采用CF4气体,其反应方程如下:在干法刻蚀过程中,通过调节C/F的比例,来控制刻蚀过程中聚合物淀积和薄膜刻蚀的速率,从而达到刻蚀剖面的控制。...
由一分液漏斗A向分解瓶B内注入重氮盐的操作过程中,不能漏进空气。重氮盐加热分解后的氮气必须全部驱赶到量氮管C中。二氧化碳的含量要求很纯,每次样品化验前,必须做二氧化碳的空白常数。在氨基物重氮化时,亚硝酸钠不能过量,否则生成的氧化氮气体不能被量氮管中的氢氧化钾溶液所吸收,造成氮气体积增加。量氮管内温差变化也较大。 ...
由分液漏斗A向分解瓶B内注入重氮盐的操作过程中,不能漏进空气。重氮盐加热分解后的氮气必须全部驱赶到量氮管C中。二氧化碳的含量要求很纯,每次样品化验前,必须做二氧化碳的空白常数。在氨基物重氮化时,亚硝酸钠不能过量,否则生成的氧化氮气体不能被量氮管中的氢氧化钾溶液所吸收,造成氮气体积增加。量氮管内温差变化也较大。 ...
气氛炉的原理: 物体在通入一定气体的炉膛内进行烧结的方法。不同的材料选择适宜的气氛烧结,有助于烧结过程,提高制品致密化程度、获得良好的性能的制品。气氛炉常用的有真空、氢、氧、氮和惰性气体(如氩)等各种气氛。例如透明氧化铝陶瓷可用氢气氛烧结,透明铁电陶瓷宜用氧气氛烧结,氮化物陶瓷如氮化铝等宜用氮气氛烧结。有时为保护烧结调协也须在保护气氛中操作。...
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