IEC 60749-2:2002
半导体器件.机械和气候试验方法.第2部分:低气压
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 2: Low air pressure
- 标准号
- IEC 60749-2:2002
- 发布
- 2002年
- 中文版
- GB/T 4937.2-2006 (等同采用的中文版本)
- 发布单位
- 国际电工委员会
- 替代标准
- IEC 60749-2:2002/COR1:2003
- 当前最新
- IEC 60749-2:2002/COR1:2003
- 被代替标准
- IEC 47/1601/FDIS:2002 IEC 60749:1996 IEC 60749 AMD 1:2000 IEC 60749 AMD 2:2001 IEC 60749 Edition 2.2:2002
- 适用范围
- 本部分适用于半导体器件的低气压试验。本项试验的口的是测定元器件和材料避免电击穿失效的能力，而这种失效是由于气压减小时，空气和其他绝缘材料的绝缘强度减弱所造成的。本顶试验仅适用于，工作电压超过1 000 V的器件。 本项试验适用于所有的空封半导体器件。本试验仪适用于军事和空间领域。 本项低气压试验方法和IEC 60068-2-13大体上一致，但鉴于半导体器件的特殊要求，使用本部分条款。
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