IEC 60747-4:2007
半导体装置.分立装置.第4部分:微波二极管和晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors

被代替

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标准号

IEC 60747-4:2007

发布

2007年

发布单位

国际电工委员会

替代标准

IEC 60747-4:2017

当前最新

IEC 60747-4:2007/AMD1:2017

 

 

引用标准

IEC 60050-702:1992 IEC 60747-16-1:2001 IEC 60747-1:2006 IEC 60747-7:2000 IEC 60747-8:2000

被代替标准

IEC 60747-4 Edition 1.2:2001 IEC 60747-4 AMD 2:1999 IEC 60747-4 AMD 1:1993 IEC 60747-4:1991

适用范围

This part of IEC 60747 gives requirements for the following categories of discrete devices: – variable capacitance diodes and snap-off diodes (for tuning, up-converter or harmonic multiplication, switching, limiting, phased shift, parametric amplification); – mixer diodes and detector diodes; – avalanche diodes (for direct harmonic generation, amplification); – gunn diodes (for direct harmonic generation); – bipolar transistors (for amplification, oscillation); – field-effect transistors (for amplification, oscillation).

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