BS IEC 60747-4-2008
半导体装置.分立装置.微波二极管和晶体管

Semiconductor devices - Discrete devices - Microwave diodes and transistors

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标准号

BS IEC 60747-4-2008

发布日期

2008年02月29日

实施日期

2008年02月29日

废止日期

无

中国标准分类号

L40

国际标准分类号

31.080.10;31.080.30

发布单位

GB-BSI

被代替标准

04/30118741 DC-2004 BS 6493-1.4-1992

适用范围

This part of IEC 60747 gives requirements for the following categories of discrete devices: – variable capacitance diodes and snap-off diodes (for tuning, up-converter or harmonic multiplication, switching, limiting, phased shift, parametric amplification); – mixer diodes and detector diodes; – avalanche diodes (for direct harmonic generation, amplification); – gunn diodes (for direct harmonic generation); – bipolar transistors (for amplification, oscillation); – field-effect transistors (for amplification, oscillation).

BS IEC 60747-4-2008系列标准

BS IEC 60747-4-2008 中可能用到的仪器设备