JEDEC JESD24-3-1990由(美国)固态技术协会,隶属EIA US-JEDEC 发布于 1990。
JEDEC JESD24-3-1990 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合。
JEDEC JESD24-3-1990 JESD24的补遗-垂直功率MOSFET的热阻测量的最新版本是哪一版?
JEDEC JESD24-3-1990已经是当前最新版本。
JEDEC 标准和出版物包含已通过 JEDEC 董事会级别准备、审查和批准,并随后由 JEDEC 法律顾问审查和批准的材料。
1.应用范围: ①各种三极管、二极管等半导体分立器件,包括:常见的半导体闸流管、双极型晶体管、以及大功率 IGBT、MOSFET、LED 等器件; ②各种复杂的 IC以及 MCM、SIP、SoC 等新型结构 ; ③各种复杂的散热模组的热特性测试,如热管、风扇等 。 ...
采用非破坏性的测量方法,可以测量几乎所有的半导体器件的热学性能,包括:1、分离或集成的双极型晶体管、常见的三极管、二极管和半导体闸流管、以及大功率IGBT、MOSFET等器件;2、大功率LED:MicReD专为LED产业开发的选配件TERALED可以实现LED器件的光热一体化测量;T3ster还可以测量整个LED灯具的热阻;3、任何复杂的IC器件(利用其内置的基板二极管);4、具有单独加热器和温度传感器的热测试芯片...
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