1.2.3 CFETCFET也称三维堆叠CMOS(Stacked CMOS),可将N型金属氧化物半导体(N-type Metal-Oxide-Semiconductor, NMOS)和P型金属氧化物半导体(P-type Metal-Oxide-Semiconductor, PMOS)集成于同一投影位置的上、下两层,图10为CFET结构示意图。...
构成存算一体的底层器件包括阻变式随机存取存储器(RRAM)、SRAM、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等多种存储器件,其中RRAM具有非易失、高存储密度、功耗低以及互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS)工艺兼容等优势,基于RRAM构建交叉阵列,在本地完成高并行的模拟计算(图5),实现算力突破。...
自1971年英特尔4004微处理器发布以来,金属氧化物半导体(MOS)晶体管的体积缩小了大约1/1 000,而单块芯片上的晶体管数量增加了约1 500万倍。衡量这种集成密度上的极大进步的指标主要是尺寸,即金属半节距和栅极长度。在很长一段时间里,它们的数字都差不多。金属半节距是芯片上从一个金属互连开始到下一个金属互连开始的距离的一半。...
5.高密度存储集成技术5.1 高密度新型存储器材料及器件集成技术研究(共性关键技术类)研究内容:研究高密度新型存储器材料、结构单元与阵列制造的关键工艺技术,包括存储单元与互补金属氧化物半导体(CMOS)电路的匹配互连和集成、芯片外围电路设计、封装和测试等关键技术;研究不同存储器件的尺寸效应、微缩性能、三维存储阵列的集成工艺;研究新型存储器材料与器件的热稳定性和可靠性;研究阵列的读、写、擦操作方法,优化控制方法与电路结构...
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