BS EN 60749-22:2003
半导体器件.机械和气候试验方法.粘接强度

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Bond strength

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标准号

BS EN 60749-22:2003

发布

2003年

发布单位

英国标准学会

当前最新

BS EN 60749-22:2003

 

 

被代替标准

BS EN 60749:1999

适用范围

IEC 60749的本部分适用于半导体器件（分立器件和集成电路）。 本部分的目的是测量粘合强度或确定是否符合指定的粘合强度要求。 注：本测试与 IEC 60749 (1996) 修正案 1 第 2 章第 6 节中包含的测试方法相同，除了对本条款的更改和重新编号之外。 1 测试概述 描述了七种测试方法，每种方法都有其各自的目的，即： 　——方法 A 和 B 用于通过直接拉动连接线来测试器件的内部粘合； 　——方法 C 用于器件外部的粘合，包括在引线或端子与板或基板之间施加剥离应力； 　——方法 D 用于内部粘合，由在芯片和基板之间施加剪切应力或类似的面粘合配置组成； 　——方法 E 和 F 用于外部键合，由施加在芯片和基板之间的推脱或拉脱应力组成； 　——方法 G 用于测试引线键合对剪切力的机械阻力。 2 测试设备的描述（适用于所有方法） 该测试的设备应包括合适的设备，用于按照规定的测试方法的要求，在焊点、引线或端子上施加规定的应力。 应通过能够测量高达 100 mN 的应力（精度为 ±2.5 mN）、应力在 100 mN 到 500 之间的设备来提供校准测量和指示（以牛顿 (N) 为单位）。 mN，精度为 ±5 mN，应力超过 500 mN，精度为指示值的 ±2.5 %。 该测试适用于通过焊接、热压、超声波和其他相关方法接合的线连接半导体器件封装内的线对芯片键合、线对基板键合或线对端子键合。 技术。

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