ASTM F1239-94
通过测量晶隙氧还原表征硅片氧沉淀的标准试验方法
Standard Test Methods for Oxygen Precipitation Characterization of Silicon Wafers by Measurement of Interstitial Oxygen Reduction
说明：
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- 标准号
- ASTM F1239-94
- 发布
- 1994年
- 中文版
- GB/T 19444-2004 (等同采用的中文版本)
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F1239-02
- 当前最新
- ASTM F1239-02
- 引用标准
- ASTM D1193 ASTM F1188 ASTM F416 ASTM F612 ASTM F951
- 1.1 这些测试方法涵盖了测试硅片氧沉淀特性的补充程序。假设降水特性与特定热循环期间间隙氧损失量有关。 1.2 这些测试方法可用于定性比较两组或多组晶片的析出特性。 1.3 这些测试方法可应用于任何或类型、任何取向的直拉硅片，其厚度、电阻率和表面光洁度使得氧浓度能够通过红外吸收来确定，并且其氧浓度使得产生可测量的氧气损失。 1.4 这些测试方法不适用于确定“...