ASTM F1239-94 通过测量晶隙氧还原表征硅片氧沉淀的标准试验方法发布历史

ASTM F1239-94由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 1994。

ASTM F1239-94 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料。

本标准有等同采用的中文版 GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法

* 在 ASTM F1239-94 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。

1.1 这些测试方法涵盖了测试硅片氧沉淀特性的补充程序。假设降水特性与特定热循环期间间隙氧损失量有关。

1.2 这些测试方法可用于定性比较两组或多组晶片的析出特性。

1.3 这些测试方法可应用于任何或类型、任何取向的直拉硅片，其厚度、电阻率和表面光洁度使得氧浓度能够通过红外吸收来确定，并且其氧浓度使得产生可测量的氧气损失。

1.4 这些测试方法不适用于确定“裸露区”的宽度或特性，“裸露区”是靠近晶片表面且基本上没有氧化物沉淀物的区域。

1.5 由于这些测试方法具有破坏性，因此必须采用适当的取样技术。

1.6 以 SI 单位表示的值被视为标准值。

1.7 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 8 节。

ASTM F1239-94
通过测量晶隙氧还原表征硅片氧沉淀的标准试验方法