ASTM F616M-96
测量MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)排漏电流的标准测试方法(米制单位)

Standard Test Method for Measuring MOSFET Drain Leakage Current (Metric)

被代替

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标准号

ASTM F616M-96

发布

1996年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F616M-96(2003)

当前最新

ASTM F616M-96(2003)

 

 

适用范围

1.1 本测试方法涵盖 MOSFET（注 1）漏极漏电流的测量。注1-MOS是金属氧化物半导体的缩写； FET 是场效应晶体管的缩写。
1.2 本测试方法适用于所有增强型和耗尽型MOSFET。该测试方法规定了正电压和电流，特别适用于 n 沟道 MOSFET。负电压和负电流的替代使得该方法可以直接适用于p沟道MOSFET。
1.3 直流测试方法适用于漏极电压大于0V但小于漏极击穿电压的范围。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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