ASTM F1259M-96(2003)
检测由电迁移造成的喷镀金属开路或阻力增加失效率用的平板、直线试验结构设计的标准指南(米制单位)

Standard Guide for Design of Flat, Straight-Line Test Structures for Detecting Metallization Open-Circuit or Resistance-Increase Failure Due to Electromigration [Metric]

作废

标准号

ASTM F1259M-96(2003)

发布

1996年

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM F1259M-96(2003)

 

 

引用标准

ASTM F1260M ASTM F1261M

适用范围

本指南旨在设计用于测量以测试各方感兴趣的方式制造的金属化的中位失效时间和西格玛（参见测试方法 F 1260M）的测试结构。本指南旨在提供有助于在估计金属化温度时进行精确测试线电阻测量的设计功能。这些设计特点还旨在促进测试线沿线的温度均匀性以及在加速应力测试期间产生显着焦耳热时测试线末端的最小温度梯度。
1.1 本指南涵盖了用于测试结构的推荐设计特点加速应力测试，如测试方法 F 1260M 中所述，用于表征因电迁移而失效的互连金属化的失效分布。
1.2 本指南仅限于平面上具有直测试线的结构，用于检测因电迁移而失效的结构。测试线开路或电阻增加百分比。
1.3 本指南不适用于测试宽度大约等于或小于金属化线中金属颗粒的估计平均尺寸的金属线。1.4本指南不适用于用于检测金属化线中随机缺陷的测试结构。
1.5 测试和表征的金属化是用于微电子电路和器件的金属化。