ASTM F1190-99
未加偏压的电子元件的中子照射标准指南

Standard Guide for Neutron Irradiation of Unbiased Electronic Components

被代替

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标准号

ASTM F1190-99

发布

1999年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1190-99(2005)

当前最新

ASTM F1190-18

 

 

适用范围

1.1 本实践适用于无偏硅（Si）或砷化镓（GaAs）半导体元件暴露于来自核反应堆源的中子辐射。本实践仅涉及暴露条件。辐射对测试样品的影响应使用适当的电气测试方法来确定。
1.2 系统和子系统的暴露和测试方法不包括在本实践中。
1.3 本实践适用于以脉冲或稳态模式运行的反应堆进行的辐照。半导体测试中中子注量(eq，1MeV，Si或eq，1MeV，GaAs)的实际限制范围为约10至10 16 n/cm 。
1.4 这种做法解决了与能量大于 10 keV 的中子辐照有关的问题和担忧。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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