ASTM F950-98
用角抛光和疵点侵蚀加工法测量机械加工硅片表面晶体损坏深度的试验方法

Standard Test Method for Measuring the Depth of Crystal Damage of a Mechanically Worked Silicon Slice Surface by Angle Polishing and Defect Etching


标准号
ASTM F950-98
发布
1998年
发布单位
美国材料与试验协会
替代标准
ASTM F950-02
当前最新
ASTM F950-02
 
 
引用标准
ASTM D1193 ASTM E122 ASTM F532 ASTM F672
适用范围
1.1 本测试方法描述了在对硅片进行任何热处理之前测量硅片表面上或表面下损伤深度的技术。这种损坏是由锯切、研磨、研磨、喷砂和喷丸等机械表面处理造成的。
1.2 本测试方法的主要用途是确定有意增加加工损伤的未抛光背面的损伤深度。
1.3 由于样品是由硅晶片的一部分制备的,因此测量具有破坏性。
1.4 使用该方法可以测量5.0至200μm范围内的损伤深度。
1.5 出于仲裁目的,测试双方应在测试开始前商定抽样计划。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题(如果有)。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。

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