ASTM E721-94
电子辐射强度试验用中子激活箔测定中子能谱的标准指南

Standard Guide for Determining Neutron Energy Spectra from Neutron Sensors for Radiation-Hardness Testing of Electronics


哪些标准引用了ASTM E721-94

 

ASTM E720-23 电子辐射硬度试验中中子光谱测定用中子传感器的选择和使用标准指南ASTM E2450-23 混合中子光子环境中CaF＜inf＞2ASTM E265-15(2020) 通过硫-32的放射性测量反应速率和快中子流量的标准测试方法ASTM E1855-20 使用2N2222A硅双极晶体管作为中子光谱传感器和位移损伤显示器的标准测试方法ASTM E722-19 电子设备辐射硬度试验用等效单能中子注量表征中子注量谱的标准实施规程ASTM E1854-19 确保电子零件中子诱发位移损伤试验一致性的标准实施规程ASTM F1190-18 中子照射无偏电子元件的标准指南ASTM F980-16 硅半导体器件中子诱发位移损伤快速退火的标准指南ASTM E720-16 选择和使用中子传感器用于确定电子辐射硬度测试中使用的中子光谱的标准指南ASTM E2450-16 在混合中子光子环境中应用CaF2 (Mn) 热释光剂量计的标准实施规程ASTM E265-15 通过硫-32的放射性测量反应速率和快速中子注量的标准试验方法ASTM E1855-15 作为中子光谱传感器和位移破坏性监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法ASTM E722-14 电子辐射硬度测试用等效单能中子注量中中子注量谱表征的标准实施规程ASTM E1854-13 确保电子部件的中子引起的位移损伤试验一致性的标准实施规程ASTM E2450-11 中子光子混合环境中CaF2(锰)热发光剂量计应用的标准操作规程ASTM E720-11 电子辐射强度测试中测定中子光谱的中子传感器的选择和应用标准指南ASTM F1190-11 无偏电子元件中子辐照的标准指南ASTM E720-08 电子辐射强度试验中中子波谱测定用中子探测器的选择和使用标准指南ASTM E265-07e1 用硫-32的放射性测量快速中子流量密度和反应速率的测试方法ASTM E1855-05e1 作为中子光谱传感器和位移损坏监测器的2N2222A硅双极晶体管的使用的标准试验方法ASTM F980M-96(2003) 测量硅半导体器件中中子感应位移故障的快速退火用标准指南(米制单位)
标准号
ASTM E721-94
发布
1994年
发布单位
美国材料与试验协会
替代标准
ASTM E721-01
当前最新
ASTM E721-22
 
 
1.1 本指南涵盖了电子半导体器件辐射硬度测试中使用的中子能量微分注量谱的测定程序。本指南特别涵盖的中子源类型是在稳态或脉冲模式下使用的裂变或退化能量裂变源。 1.2 本指南提供了在选择频谱调整方法的过程中可以应用的指导和标准，最适合现有数据并与所调查的环境相关。 1.3 本指南应与 E 720 指南结合使用来表征中子能谱。注 18212；尽管指南 E 72...

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