ASTM F672-88(1995)e1
用分布电阻探头测量硅晶片垂直于表面的纵断面电阻率的标准试验方法
Standard Test Method for Measuring Resistivity Profiles Perpendicular to the Surface of a Silicon Wafer Using a Spreading Resistance Probe
说明：
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- 标准号
- ASTM F672-88(1995)e1
- 发布
- 1988年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F672-01
- 当前最新
- ASTM F672-01
- 引用标准
- ASTM D1125 ASTM E1 ASTM F26 ASTM F374 ASTM F419 ASTM F42 ASTM F525 ASTM F674 ASTM F723 ASTM F84
- 1.1 本测试方法涵盖垂直于已知方向和类型的硅片表面的电阻率分布的测量。注 1——本测试方法也可适用于其他半导体材料，但仅对硅和锗进行了可行性和精度评估。 1.2 本测试方法可用于外延膜、衬底、扩散层或离子注入层，或这些的任意组合。 1.3 该测试方法是比较性的，因为未知样品的电阻率分布是通过将其测量的铺展电阻值与已知电阻率的校准标准的测量值进行比较来确定的...
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