ASTM F672-88(1995)e1由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 1988。
ASTM F672-88(1995)e1 在中国标准分类中归属于: H82 元素半导体材料。
* 在 ASTM F672-88(1995)e1 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。
1.1 本测试方法涵盖垂直于已知方向和类型的硅片表面的电阻率分布的测量。注 1——本测试方法也可适用于其他半导体材料,但仅对硅和锗进行了可行性和精度评估。
1.2 本测试方法可用于外延膜、衬底、扩散层或离子注入层,或这些的任意组合。
1.3 该测试方法是比较性的,因为未知样品的电阻率分布是通过将其测量的铺展电阻值与已知电阻率的校准标准的测量值进行比较来确定的。这些校准标准必须具有与未知样品相同的表面处理、导电类型和晶体取向。
1.4 本测试方法适用于任何存在合适标准的电阻率范围的硅片。可以使用抛光、研磨或磨削的表面。
1.5 该测试方法具有破坏性,因为必须对样本进行斜切。
1.6 在使用校准之前需要考虑边界或局部电阻率随深度变化的影响的校正系数根据扩展电阻值计算电阻率的数据。注 2——该测试方法将方法 F525 扩展到深度剖面。 注 3——该测试方法提供了直接确定硅样品垂直于样品表面的电阻率分布的方法。与测试方法 F84、F374、F1392 和 F1393 不同,它可以提供几微米数量级的电阻率横向空间分辨率,以及 10 nm (100 A) 数量级的深度空间分辨率。该测试方法可用于通过 pn 结进行轮廓分析。
1.7 该测试方法主要是用于确定硅晶片中电阻率轮廓的测量。然而,常见的做法是将电阻率剖面信息转换为密度剖面。为此,附录 X2.1.8 中提供了电阻率和多数载流子密度之间的转换。本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题(如果有)。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。
HD-RTS-8型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的,专用于测试半导体材料电阻率及方块电阻(薄层电阻)的专用仪器。 ...
分辨率:< 0.0025% FS.倾斜传感器:类型:双轴加速度计量程:0-40 度精度:0.5 度 分辨率:0.1 度电阻率测试通道:NOVA多通道静力触探探头还可以扩展电阻率测试通道,这个测试通道为一个四电极阵列(温纳构造,即等间距电极),直径 44mm,直接安装在CPT(u) 探头上即可应用。带电阻率测量的静力触探测试可以与地表电阻率调查一起进行。...
); 四探针探头应用参数 (见探头附带的合格证) 模拟电阻测量相对误差 ( 按JJG508-87进行) 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 整机测量最大相对误差 (用硅标样片:0.01-180Ω.cm测试)≤±5% 整机测量标准不确定度 ≤5% 计算机通讯接口 并口 标准使用环境 温度:23±2℃; 相对湿度:≤65%; 无高频干扰...
总 结本实验将高密度电法仪应用于溃坝试验中,获得了水库蓄水过程中坝体视电阻率分布变化过程,并与渗流场发展过程对比分析,获得了较为理想的成果。1随着库水位升高,坝体浸润线随之抬升,大坝土体含水量区域扩大,相应坝体低电阻率区域分布亦逐渐扩大,并最终连片。2高密度电法仪获得的坝体电阻率发展过程与大坝浸润面发展过程是一致的,一定程度上可以用坝体视电阻率分布反应坝体渗流场变化情况。...
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