ASTM E1855-04
作为中子光谱传感器和位移损坏监测器的2N2222A硅双极晶体管使用的标准试验方法

Standard Test Method for Use of 2N2222A Silicon Bipolar Transistors as Neutron Spectrum Sensors and Displacement Damage Monitors

被代替

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标准号

ASTM E1855-04

发布

2004年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM E1855-04e1

当前最新

ASTM E1855-20

 

 

适用范围

1.1 本测试方法涵盖使用 2N2222A 硅双极晶体管作为剂量测定传感器来测定中子能谱，以及作为硅 1-MeV 等效位移损伤注量监测器。
1.2 中子位移损伤作为该范围内的谱传感器特别有价值当裂变箔不可用时为 0.1 至 2.0 MeV。它已在 2·10·12 n/cm2 和 1·1014 n/cm2 之间的注量范围内应用，并且在最高 1015 n/cm2 的注量范围内应该有用。该测试方法详细介绍了获取和使用硅 1-MeV 等效注量信息（以类似于使用活化箔数据的方式）来确定中子谱的步骤。
1.3 此外，该传感器可以提供重要的确认使用其他传感器确定中子谱，并通过转移技术直接测量硅 1-MeV 注量。
1.4 他的标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定法规要求的适用性。

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