高纯半导体材料的主要分析方法之一。用同位素中子源和小型加速器产生的通量为1012厘米-2·秒-1以上的中子流辐射被测定样品。中子与样品中的元素发生核反应,生成放射性同位素及γ射线。例如Si+n→Si+γ。用探测器和多道脉冲高度分析器来分析同位素的放射性、半衰期及γ射线能谱,就能鉴定出样品中的痕量元素。...
它的基本原理是用高能强流质子加速器产生能量在1GeV以上的质子束轰击重元素靶(如钨或铀),在靶中发生散裂反应,产生大量的中子(图1)。其特点是在较小的体积内可产生较高的脉冲中子通量,能提供的中子能谱更加宽广。此外,散裂中子源还具有高脉冲通量和优越的脉冲时间结构,低本底,且不使用核燃料,只产生极少量活化产物等诸多独特优点。...
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