ASTM F996-98
利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

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标准号

ASTM F996-98

发布

1998年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F996-98(2003)

当前最新

ASTM F996-11(2018)

 

 

适用范围

1.1 本测试方法涵盖使用亚阈值电荷分离技术来分析金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 中栅极电介质和寄生 MOSFET 中隔离电介质的电离辐射退化。亚阈值技术用于将电离辐射引起的反转电压偏移δVINV分离成由于氧化物俘获电荷δVot和界面陷阱δVit导致的电压偏移。该技术利用 MOSFET 亚阈值区域中辐照前和辐照后的漏源电流与栅极电压特性。
1.2 给出了测量 MOSFET 亚阈值电流-电压特性和计算结果的程序。
1.3 本测试方法的应用要求MOSFET具有衬底（体）接触。采用绝缘体硅 (SOI) 技术的 MOSFET 必须具有体连接。
1.4 辐照前和辐照后 MOSFET 亚阈值源极或漏极曲线必须遵循对栅极电压的指数依赖关系（至少 20 个电流）。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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