同时,DS-FET具有与金属氧化物半导体场效应晶体管相比拟的驱动电流,作为亚60毫伏/量级的关态和开态特性综合指标的关键参数I60=10μA/μm,是目前已发表的隧穿晶体管最佳性能的2000倍,完全达到了国际半导体发展路线图(ITRS)对器件实用化的标准,能够满足未来超低功耗集成电路对晶体管的需要。 ...
等效氧化物厚度(EOT=0.54 nm)、栅极长度(L=7.8 nm)和电源电压(VSD=0.74 V)根据2021国际半导体技术路线图(ITRS)对高性能晶体管进行参数化;b)InSe的能带结构:石墨烯异质结。石墨烯和InSe的电子态分别用红色和黑色曲线表示。费米能量设为零。...
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
高性能聚合物OFETs通常采用顶栅结构,电荷在聚合物薄膜的最上层传输(图1a)。在采用顶栅结构的条件下,为确保电子和空穴的有效注入用于双极性电荷传输,必须采用分离的底部接触,而这会导致某些问题,如产生接触附近的缺陷,恶化性能、稳定性和均匀性,还需采用额外的工艺来连接下面的源极/漏极(S/D)。为什么不采用硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Si MOSFETs)中的顶触式方案呢?...
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