ASTM F996-98(2003)
利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法

Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current-Voltage Characteristics

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标准号

ASTM F996-98(2003)

发布

1998年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F996-10

当前最新

ASTM F996-11(2018)

 

 

适用范围

栅极和场氧化物的电特性会因电离辐射而改变。电离辐射的时间依赖性和剂量率效应可以通过比较照射前和照射后的电压变化、“Vot”和“Vot”来确定。维生素。该测试方法提供了一种评估 MOSFET 和隔离寄生 MOSFET 电离辐射响应的方法。测得的电压变化，“Vot”和“Vot” Vit，可以提供对电离辐射响应的处理变化的有效性的测量。该技术可用于监测工艺技术的总剂量响应。
1.1 该测试方法涵盖使用亚阈值电荷分离技术来分析金属氧化物半导体场中栅极电介质的电离辐射退化。效应晶体管 (MOSFET) 和寄生 MOSFET 中的隔离电介质。亚阈值技术用于将电离辐射引起的反转电压偏移 V INV 分离为由于氧化物捕获电荷 Vot 和界面陷阱 Vit 引起的电压偏移。该技术使用 MOSFET 亚阈值区域中辐照前和辐照后的漏源电流与栅极电压特性。
1.2 给出了测量 MOSFET 亚阈值电流-电压特性和计算结果的程序。
1.3 该测试的应用该方法要求 MOSFET 有衬底（体）接触。
1.4 辐照前和辐照后 MOSFET 亚阈值源极或漏极曲线必须遵循对栅极电压的指数依赖关系（至少 20 倍电流）。
1.5 以 SI 单位给出的值应被视为标准值。本测试方法中不包含其他测量单位。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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