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二、【成果掠影】具有原子尺度厚度的二维(2D)层状半导体被探索为支持进一步小型化和集成电子的潜在通道材料。然而,到目前为止,还没有基于半导体的2D fet表现出可以超越最先进的硅场效应晶体管(FETs)的性能。国际器件与系统路线图(IRDS)预测,对于硅基金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FETs),栅极长度的缩放将停止在12纳米,最终电源电压将不会下降到小于0.6 V。...
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
空间辐射环境对电子器件主要产生电离辐射总剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE);核辐射环境尤其是核爆炸环境,主要产生瞬时电离辐射总剂量效应、中子辐射效应和电磁脉冲损伤效应。不同的辐射环境对电子器件的影响各不相同,不同类型的电子器件在同一辐射环境中也会有不同的反应。空间辐射环境主要来自宇宙射线、太阳耀斑辐射及环绕地球的内外范·艾伦辐射带等。...
)的顶栅碳纳米管场效应晶体管,在相同尺寸下,其性能已经超越硅基互补金属-氧化物半导体(CMOS)FETs。...
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