非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 DLA MIL-PRF-19500/747-2008 前三页,或者稍后再访问。
点击下载后,生成下载文件时间比较长,请耐心等待......
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为:结型场效应管,多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管,双栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管,金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方:源极,下方:漏极,左方:栅极,右方:主体。电压导致沟道形成的细节没有画出 掺杂FET(解释如下)的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。...
空间辐射环境对电子器件主要产生电离辐射总剂量(TID)效应和单粒子效应(SEE);核辐射环境尤其是核爆炸环境,主要产生瞬时电离辐射总剂量效应、中子辐射效应和电磁脉冲损伤效应。不同的辐射环境对电子器件的影响各不相同,不同类型的电子器件在同一辐射环境中也会有不同的反应。空间辐射环境主要来自宇宙射线、太阳耀斑辐射及环绕地球的内外范·艾伦辐射带等。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号