适当增加屏蔽层厚度可对空间低能粒子起到一定的屏蔽作用,但对高能重离子和高能质子的屏蔽效果不明显。附件:辐射加固保证(RHA)等级RHA等级符号辐射总剂量/rad(Si)M3×103D104P3×104L5×104R105F3×105G5×105H106...
功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件. ISFET是离子敏感的场效应晶体管(Ion-Sensitive Field Effect Transistor),它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度(例如pH值)改变,通过晶体管的电流将相应的改变。 JFET用相反偏置的p-n结去分开栅极和体。 ...
刘杰主持的“西部之光”项目“重离子径迹中纳米微针的形成和制备”,取得一系列具有国际先进水平的科研成果。金纳米线阵列的相关研究成果已在期刊Nanotechnology上发表。 随着半导体器件集成度的不断增加,在空间辐射环境下更容易出现单粒子效应,单粒子效应的出现可能导致卫星上的电子学系统出现软的或者硬的错误,将对在轨运行的航天器构成很大的威胁。...
179GB/T 43221-2023无人飞艇飞行控制系统通用要求2024/1/180GB/T 43222-2023平流层飞艇测试安全性要求2024/1/181GB/T 43223-2023空间物体轨道数据规范2024/1/182GB/T 43224-2023运载火箭轨道级处置详细要求2024/1/183GB/T 43225-2023空间物体登记要求2024/1/184GB/T 43226-2023宇航用半导体集成电路单粒子软错误时域测试方法...
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