QJ 10005-2008
宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南

Test guidelines of single event effects induced by heavy ions of semiconductor devices for space applications


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QJ 10005-2008



标准号
QJ 10005-2008
发布日期
2008年02月16日
实施日期
2008年06月01日
废止日期
中国标准分类号
L40
发布单位
CN-QJ
引用标准
GB 4792-1984 GJB 1649-1993 GJB 2712-1996 GJB 3756-1999
适用范围
本指导性技术文件给出了宇航用半导体器件(以下简称器件)重离子辐照引起的单粒子效应的试验指南,包括试验要求、试验方法和试验程序。 本指导性技术文件适用的单粒子效应包括单粒子翻转、单粒子锁定、单粒子扰动等。不包括功率MOS器件的单粒子烧毁。本指导性技术文件中的半导体器件包括半导体集成电路和半导体分立器件。

QJ 10005-2008 中可能用到的仪器设备





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