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适当增加屏蔽层厚度可对空间低能粒子起到一定的屏蔽作用,但对高能重离子和高能质子的屏蔽效果不明显。附件:辐射加固保证(RHA)等级RHA等级符号辐射总剂量/rad(Si)M3×103D104P3×104L5×104R105F3×105G5×105H106...
功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件. ISFET是离子敏感的场效应晶体管(Ion-Sensitive Field Effect Transistor),它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度(例如pH值)改变,通过晶体管的电流将相应的改变。 JFET用相反偏置的p-n结去分开栅极和体。 ...
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