硅片加工过程中会带来各种金属杂质沾污,进而导致后道器件的失效,轻金属(Na、Mg、Al、K、Ca等)会导致器件击穿电压降低,重金属(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)会导致器件寿命降低。因此,硅片作为器件的原材料,其表面金属含量会直接影响器件的合格率。特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷,通常这些金属杂质是超微量的金属离子存在。 如何测试这些超微量金属离子? ...
1.1 仪器 法国CAMECA 公司的IMS-4fE/7 型二次离子质谱仪, 配备双等离子源和铯离子源, 中和电子枪。 1.2 样品 样品结构:SiO 采用CVD方法在抛光硅晶片 上生长的二氧化硅薄膜, 厚度在1000 埃至5000 埃之间, 样品处理: 为避免表面沾污对于测试结果的影响, 用去离子水对样品清洗,在105烘烤1h 以上。...
二次离子质谱(SIMS)6分析具有灵敏度高、微区分析、深度剖析的优点,是检测钝化膜中钠离子浓度分布的有效手段,可以给出钠离子在钝化膜中的实际的分布。本工作采用二次离子质谱法对二氧化硅钝化膜中钠离子浓度进行检测。 1 实验部分 1.1 仪器 法国CAMECA公司的IMS-4fE/7 型二次离子质谱仪,配备双等离子源和铯离子源,中和电子枪。 ...
关键词 硅相对灵敏度因子二次离子质谱定量分析预溅射1.1 仪器与测试条件仪器:CAMECA IMS-4F-e7型动态双聚焦二次离子质谱仪,配有铯一次离子源,电子倍增器和法拉第杯检测器,具备检测负二次离子的能力。对于氧、碳元素的测量,典型的测试条件为:采用Cs+作为一次离子束来检测氧和碳的负二次离子,一次离子能量为14.5kV,束流为400nA,扫描面积为250μm×250μm。...
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