T/CASAS 009-2019
半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
Determination of Trace Impurities Concentration and Distribution in Semi-insulating SiC Materials by Secondary Ion Mass Spectrometry
- 标准号
- T/CASAS 009-2019
- 发布
- 2019年
- 发布单位
- 中国团体标准
- 当前最新
- T/CASAS 009-2019
- 适用范围
- 半导体材料中的痕量杂质元素浓度及其分布高精度表征是影响产业链不同阶段产品（如衬底、外延、芯片、器件）性能的重要参数。二次离子质谱仪是检测材料痕量杂质元素浓度及分布的最常用且最精准的设备。目前我国以二次离子质谱方法高精度检测第三代半导体材料中的痕量杂质浓度及分布的标准属于空白领域，因此该标准的制定对第三代半导体材料的特征参数评价及产业应用具有较强的积极作用。
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