GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
Test method for measuring the Al fraction in on AlGaAs substrates by high resolution X-ray diffraction
GBT24576-2009, GB24576-2009
GB/T 24576-2009 发布历史
GB/T 24576-2009由国家质检总局 CN-GB 发布于 2009-10-30，并于 2010-06-01 实施。
GB/T 24576-2009 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法的最新版本是哪一版？
最新版本是 GB/T 24576-2009 。
GB/T 24576-2009 采用标准及采用方式
- IDT SMEI M63-0306
GB/T 24576-2009的历代版本如下：
- 2009年 GB/T 24576-2009 高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
本标准规定了用高分辨X射线衍射测量GaAs衬底上AlGaAs外延层中Al含量的试验方法。 本方法适用于在未掺杂GaAs衬底方向上生长的AlGaAs外延层中Al含量的测定，使用本方法测量Al元素含量时， AlGaAs外延层厚度应大于300 nm。
- 标准号
- GB/T 24576-2009
- 别名
- GBT24576-2009
GB24576-2009 - 发布
- 2009年
- 采用标准
- SMEI M63-0306 IDT
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 24576-2009
GB/T 24576-2009相似标准
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