由于GaN材料与硅衬底之间存在着巨大的晶格常数失配和热膨胀系数失配,直接在硅衬底上生长GaN材料会导致GaN薄膜位错密度高并且容易产生裂纹,因此硅衬底InGaN基激光器难以制备。该研究方向是目前国际上的研究热点,但是到目前为止,仅有文章报道了在光泵浦条件下硅衬底上InGaN基多量子阱发光结构的激射。 ...
典型半导体材料特性参数对比最为典型的三族氮化物目前主要用于发光,通过改变材料的组分,其发射波长可以覆盖从紫外到红外。三族氮化物中的翘楚——氮化镓,带隙3.4eV,在高功率、高速的光电元件中已有应用,目前商用蓝光GaN芯片已经做到非常成熟,能够做到80%以上的效率。以及紫光(405nm)激光大量应用。...
利用催化剂偏析技术实现高质量晶圆级InAs纳米结构的维度调控,为有效控制III-V族半导体的维度提供了一种全新的方法,也为研制高性能立式纳米片电子器件及量子器件提供了基础。 北京工业大学教授隋曼龄课题组在该工作中进行了样品球差电镜测试,吉林大学教授张立军课题组进行了生长机制理论计算。该项工作得到科技部、国家自然科学基金委、中科院和北京市自然科学基金委的经费支持。...
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