2015-09-01 49 GB/T 30653-2014 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 2015-09-01 50 GB/T 30654-2014 Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 2015-09-01 51 GB/T 30655-2014 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 2015-09-01 52 GB/T 30656-2014 碳化硅单晶抛光片 2015-09...
然而,有关纳米分支的形成机理尚未明确,在IIIA族氮化物中,这种纳米分支现象及与晶格结构和对称性之间的关联性更是鲜有报道。北京大学宽禁带半导体研究中心利用分子束外延在图形化衬底上生长了GaN纳米线结构。实验发现,随着生长的进行在部分六棱柱状纳米线顶端出现了正四面体形金字塔结构,具有三重旋转对称性的三个分支逐渐从正四面体的三个侧面延伸而出,这些分支构成独立的“纳米三脚架”。...
特别是,ALLOS 独有的应变工程技术和出众的晶体质量如预期的一样适用于 300 mm。图 2:用于 microLED 的 300 mm GaN-on-Si 外延片。“率先将 III 族氮化物技术应用于 300 mm 令我们感到非常兴奋。它证明了我们的应变工程技术的可靠性,我们也希望为 microLED 客户提供这项技术。”ALLOS 联合创始人之一 Nishikawa 补充道。...
典型半导体材料特性参数对比最为典型的三族氮化物目前主要用于发光,通过改变材料的组分,其发射波长可以覆盖从紫外到红外。三族氮化物中的翘楚——氮化镓,带隙3.4eV,在高功率、高速的光电元件中已有应用,目前商用蓝光GaN芯片已经做到非常成熟,能够做到80%以上的效率。以及紫光(405nm)激光大量应用。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号