本次大会发布了这9项标准:《半导体光电子器件功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管测试方法》、《氮化镓基发光二极管用蓝宝石衬底片》、《半导体发光二极管用荧光粉》、《功率半导体发光二极管芯片技术规范》、《半导体发光二极管芯片测试方法》、《半导体光电子器件小功率发光二极管空白详细规范》、《半导体发光二极管产品系列型谱》以及《LED照明名词术语》等。...
与可见光 LED相比,目前深紫外LED的发光效率和光输出功率普遍较低。中国科学院半导体研究所研究员张韵认为,要从根本上提高氮化铝镓基深紫外LED发光效率低和出光功率低两大性能瓶颈,重点要研究如何突破低位错密度的AlN和AlGaN材料核心外延与掺杂技术,设计出高量子效率和高光提取效率的LED器件结构,以及开发高可靠性的芯片制备工艺和光珠封装技术。 ...
2019-01-01252GB/T 36357-2018中功率半导体发光二极管芯片技术规范 2019-01-01253GB/T 36358-2018半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 2019-01-01254GB/T 36359-2018半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 2019-01-01255GB/T 36360-2018半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范...
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