ASTM F1894-98(2011)
定量分析硅化钨半导体加工膜组分和厚度的标准试验方法

Test Method for Quantifying Tungsten Silicide Semiconductor Process Films for Composition and Thickness

标准号

ASTM F1894-98(2011)

发布

1998年

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM F1894-98(2011)

 

 

引用标准

ASTM E1241 ASTM E673

代替标准

ANSI/UL 746B-2013

适用范围

该测试方法可用于确保 WSix 薄膜沉积系统在数月内的绝对再现性。测量的时间跨度本质上是许多工艺沉积系统的寿命。该测试方法可用于验证新的 WSix 沉积系统，以确保现有系统的可复制性。该测试方法对于协调使用不同分析服务的全球半导体制造业务至关重要。该测试方法允许在不同地点和时间对来自不同沉积系统的样品进行分析。该测试方法是多种分析技术的选择校准技术，包括但不限于：化学分析电子能谱（ESCA 或 XPS）、俄歇电子能谱（AES）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、二次分析离子质谱 (SIMS)、电子色散光谱 (EDS) 和粒子诱导 X 射线发射 (PIXE)。
1.1 本测试方法涵盖使用卢瑟福定量测定钨/硅 (WSix) 半导体工艺薄膜中的钨和硅浓度背散射光谱法 (RBS)。 (1) 本测试方法还涵盖质量范围从磷?/span>（31原子质量单位（amu）到锑（122 amu）的杂质的检测和定量。 1.2本测试方法可用于硅化钨薄膜通过任何沉积或退火工艺或两者都可以制备。薄膜必须是均匀的薄膜，其面积覆盖范围大于入射离子束（8764；2.5 mm）。
1.3 该测试方法准确测量以下薄膜特性：硅/钨比以及随深度的变化、整个薄膜的钨深度分布、WSix 薄膜厚度、氩气浓度（如果存在）、WSix 薄膜表面氧化物的存在以及过渡金属杂质的检测限为 1×1014 个原子/cm2。1.4该测试方法可以检测在单独分析中从不同样品中测量的硅和钨浓度分别为 3 和 1 原子百分比的绝对差异。可以检测到深度钨浓度的相对变化x00B1;0.2 原子百分比，深度分辨率为 ±70?/span>。
1.5 该测试方法支持并协助通过电阻率技术鉴定 WSix 薄膜。
1.6 本测试方法适用于沉积在导电或绝缘基材上的 WSix 薄膜。
1.7 该测试方法适用于面积覆盖范围大于 1 x 1 mm2 的 20 至 400 nm 的 WSix 薄膜。
1.8 本测试方法对薄膜无损至溅射程度。
1.9 自 1993 年以来，一直对 WSix 胶片进行统计过程控制 (SPC) 监测，再现性达到 4%。
1.10 该测试方法通过将 WSix 薄膜的薄膜密度建模为 WSi2（六方晶系）加上过量的元素 Si2 来产生准确的薄膜厚度。与 SEM 横截面测量相比，测量的膜厚度是实际膜厚度的下限，其精度小于 10%（见 13.4）。
1.11 该测试方法可用于分析最大 300 mm 的整个晶圆上的薄膜，而无需破坏晶圆。可以......的网站

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