ASTM F2113-01(2011)
薄膜电子设备用高纯度金属溅涂靶杂质含量和等级的分析和报告标准指南
Standard Guide for Analysis and Reporting the Impurity Content and Grade of High Purity Metallic Sputtering Targets for Electronic Thin Film Applications
ASTM F2113-01(2011) 发布历史
ASTM F2113-01(2011)由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2001。
ASTM F2113-01(2011) 在中国标准分类中归属于: L14 电位器。
ASTM F2113-01(2011) 发布之时，引用了标准
- ASTM F1593 应用高质量分辩率辉光放电质谱计测定电子级铝中微量金属杂质的标准试验方法
ASTM F2113-01(2011)的历代版本如下：
- 2001年 ASTM F2113-01(2011) 薄膜电子设备用高纯度金属溅涂靶杂质含量和等级的分析和报告标准指南
- 2007年 ASTM F2113-01(2007) 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南
- 2001年 ASTM F2113-01e1 薄膜电子设备用高纯度金属溅涂靶杂质含量和等级的分析和报告标准指南
- 2001年 ASTM F2113-01 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南
1.1 本指南涵盖在制造半导体电子器件时用作薄膜源材料的溅射靶材。它应用于制定特定材料的目标规范并应在其中引用。
1.2 本标准规定了纯度等级、分析方法和杂质含量报告方法及格式。
1.2.1 牌号是金属杂质总含量的衡量标准。牌号名称不一定表明适合特定应用，因为总金属杂质以外的因素可能会影响性能。
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