ASTM F1192-11
半导体装置重离子辐照导致的单粒子效应现象(SEP)测量的标准指南

Standard Guide for the Measurement of Single Event Phenomena (SEP) Induced by Heavy Ion Irradiation of Semiconductor Devices

被代替

ASTM F1192-11 发布历史

ASTM F1192-11由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2011。

ASTM F1192-11 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合。

ASTM F1192-11的历代版本如下：

• 2018年 ASTM F1192-11(2018) 标准指南 用于测量由半导体器件的重离子辐照引起的单一事件现象（SEP）
• 2011年 ASTM F1192-11 半导体装置重离子辐照导致的单粒子效应现象(SEP)测量的标准指南
• 2000年 ASTM F1192-00(2006) 半导体器件重离子照射感应产生的单件信号现象的测量标准指南
• 2000年 ASTM F1192-00 半导体器件重离子照射感应产生的单件信号现象的测量标准指南

许多现代集成电路、功率晶体管和其他设备在行星际空间、卫星轨道或短途穿过俘获辐射带时暴露于宇宙射线时都会经历 SEP。必须能够预测特定环境的 SEP 率，以便建立适当的技术来应对拟议系统中此类干扰的影响。随着技术向更高密度的 IC 发展，这个问题可能会变得更加严重。本指南旨在帮助实验人员进行地面测试，以获得能够进行 SEP 预测的数据。

1.1 本指南定义了测试集成电路和其他器件的单粒子现象（SEP）影响的要求和程序，该影响是由原子序数为 Z ≥ 的重离子辐照引起的。 2. 本描述明确排除了中子、质子和其他可能通过另一种机制诱发 SEP 的较轻粒子的影响。 SEP 包括由单次离子撞击引起的扰动的任何表现形式，包括软错误（一个或多个同时可逆位翻转）、硬错误（不可逆位翻转）、闭锁（持续高导通状态）、组合器件中引起的瞬态，这些瞬态可能会引入附近电路中的软错误、功率场效应晶体管 (FET) 烧毁和栅极破裂。该测试可能被认为是破坏性的，因为它通常涉及在辐照之前移除设备盖。位翻转通常与数字器件相关，而闩锁通常仅限于体互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件，但在组合逻辑可编程只读存储器 (PROM) 和某些线性器件中也可以观察到重离子引起的 SEP。可以响应重离子感应电荷瞬变。功率晶体管可通过 MIL STD 750 方法 1080 中规定的程序进行测试。

1.2 此处描述的程序可用于模拟和预测自然空间环境产生的 SEP，包括银河宇宙射线、行星捕获离子和太阳耀斑。然而，这些技术并不能模拟军事项目中提出的重离子束效应。测试的最终产品是 SEP 横截面（每单位注量的翻转次数）作为离子 LET（沿着离子穿过半导体的路径沉积的线性能量转移或电离）的函数的图。该数据可以与系统的重离子环境相结合来估计系统故障率。

1.3 虽然质子可以引起SEP，但本指南不包括它们。正在考虑制定一份针对质子诱导 SEP 的单独指南。

1.4 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。

1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

标准号

ASTM F1192-11

发布

2011年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1192-11(2018)

当前最新

ASTM F1192-11(2018)

 

 

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