GB/T 29057-2012
用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程

Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy


GB/T 29057-2012 中,可能用到以下仪器设备

 

单克隆抗体系列

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科瑞恩特(北京)科技有限公司

 

家禽用系列ELISA诊断试剂盒

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科瑞恩特(北京)科技有限公司

 

漏电起痕试验机

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上海和晟仪器科技有限公司

 

金属丝拉伸强度试验机

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上海和晟仪器科技有限公司

 

拉力机夹具

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上海和晟仪器科技有限公司

 

管材耐压爆破试验机

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上海和晟仪器科技有限公司

 

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编码器芯片AM4096

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雷尼绍(上海)贸易有限公司

 

编码器模块RMB28

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编码器RM44

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雷尼绍(上海)贸易有限公司

 

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麦克默瑞提克(上海)仪器有限公司

 

肥料颗粒粉化率测定仪

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山东盛泰仪器有限公司

 

绝缘油带电倾向性测定仪

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山东盛泰仪器有限公司

 

自动苯胺点测定仪SD262B

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灼热丝试验仪

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针焰试验仪

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亚20飞秒激光脉冲靶基因转移系统

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北京欧兰科技发展有限公司

 

4面精密微米级制膜器

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沈阳科晶/KJ GROUP

 

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 真空腔体

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金相研究成套设备-高级系列

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金相研究成套设备-实用系列

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掩膜版

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膜厚监测仪

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手动液压纽扣电池拆卸机

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CM100膜厚仪

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桌面式通风柜

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GB/T 29057-2012



标准号
GB/T 29057-2012
发布
2012年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 29057-2012
 
 
适用范围
2.1本标准包括多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过光谱分析法对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中痕量杂质的程序。这些痕量杂质包括施主杂质(通常是磷或砷,或二者兼有)、受主杂质(通常是硼或铝,或二者兼有)及碳杂质。2.2本标准中适用的杂质浓度测定范围:施主和受主杂质为(0.002~100)ppba(十亿分之一原子比),碳杂质为(0.02~15)ppma(百万分之一原子比)。样品中的这些杂质是通过低温红外光谱法或光致发光光谱法分析的。2.3本标准仅适用于评价在硅芯上沉积生长的多晶硅棒。

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