YS/T 839-2012
硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法

Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry


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YS/T 839-2012



标准号
YS/T 839-2012
发布日期
2012年11月07日
实施日期
2013年03月01日
废止日期
中国标准分类号
K15;H68
国际标准分类号
77.120.99
发布单位
CN-YS
适用范围
本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。 本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜,满足一定条件时,方可采用本方法。

YS/T 839-2012 中可能用到的仪器设备





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