YS/T 839-2012
硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
Test method for measurement of insulator thickness and refractive index on silicon substrates by ellipsometry
YS/T 839-2012 发布历史
本方法规定了用椭圆偏振测试方法测量生长或沉积在硅衬底上的绝缘体薄膜厚度及折射率的方法。 本方法适用于薄膜对测试波长没有吸收和衬底对测试波长处不透光、且已知测试波长处衬底折射率和消光系数的绝缘体薄膜厚度及折射率的测量。对于非绝缘体薄膜，满足一定条件时,方可采用本方法。
YS/T 839-2012由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 2012-11-07，并于 2013-03-01 实施。
YS/T 839-2012 在中国标准分类中归属于: K15 电工绝缘材料及其制品,H68 贵金属及其合金，在国际标准分类中归属于: 77.120.99 其他有色金属及其合金。
YS/T 839-2012的历代版本如下：
- 2012年11月07日 YS/T 839-2012 硅衬底上绝缘体薄膜厚度及折射率的椭圆偏振测试方法
