为解决这一问题,课题组通过一步Piers-Rubinsztajn反应,对基础工业原料正硅酸乙酯(TEOS)进行氟功能化,原位形成的含氟有机硅氧烷大单体热聚合后可形成透明薄膜,该薄膜在10GHz的超高频下,显现介电常数2.50、介电损耗4.0×10-3的优异性能,而普通的未造孔的二氧化硅薄膜和聚有机硅氧烷的介电常数通常大于3.0(Macromolecules 2017, 50, 9394)。 ...
场效应晶体管是CPU、传感器和显示器的核心部件,其中,介电层对调节晶体管的整体性能方面起到至关重要的作用。目前,电介质材料仍然存在多种缺点,比如具有强偶极子耦合的铁电材料或极性聚合物电介质中的高极性基团在高电场下表现出明显的极化滞后,导致器件高损耗。具有高介电常数的纳米颗粒添加剂虽可有效提高聚合物薄膜的电容,但同时也会增加漏电损耗并降低介电层的击穿强度。...
场效应晶体管是CPU、传感器和显示器的核心部件,其中,介电层对调节晶体管的整体性能方面起到至关重要的作用。目前,电介质材料仍然存在多种缺点,比如具有强偶极子耦合的铁电材料或极性聚合物电介质中的高极性基团在高电场下表现出明显的极化滞后,导致器件高损耗。具有高介电常数的纳米颗粒添加剂虽可有效提高聚合物薄膜的电容,但同时也会增加漏电损耗并降低介电层的击穿强度。...
开发和研究具有高介电常数、低漏流和高击穿电压的功能器件对栅极介电薄膜材料和高电子传输二极管等电子器件材料具有重要的意义。当前,大部分栅极介电薄膜材料都是基于传统的硅基电子元件材料。然而,传统的硅基材料在实际应用中常常会面临高介电损耗以及由于厚度引起的隧穿效应等问题。为此,开发高介电常数薄膜材料有利于增加栅极薄膜的厚度而不会产生过多的介电损耗和隧穿效应。...
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