SJ/T 11498-2015
重掺硅衬底中氧浓度的二次离子质谱测量方法
Test method for measuring oxygen contamination in heavily doped silicon substrates by secondary ion mass spectrometry
SJT11498-2015, SJ11498-2015
- 标准号
- SJ/T 11498-2015
- 别名
- SJT11498-2015, SJ11498-2015
- 发布
- 2015年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ/T 11498-2015
- 适用范围
- 本标准规定了用二次离子质谱法(SIMS)对重掺硅衬底单晶体中氧浓度总量的测试方法。本标准适用于硼、锑、砷、磷的掺杂浓度<0.2% (1×1020 at·cm-3)的硅材料。特别适用于电阻率在0.001 2 Ω·cm~1.0Ω?cm的p型硅材料和电阻率在0.008Ω ? cm~0.2Ω ? cm的n型硅材料。
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